采用大功率反并聯(lián)晶閘管模塊、隔壁電路、觸發(fā)電路、保護(hù)電路及散熱裝置等元件組成，可用于690V以下容性或感性負(fù)載的通斷控制，通斷時(shí)無涌流，無過電壓，工作時(shí)無噪音，允許頻繁投切，安裝，接線簡單方便，特別適用于快速投切的SVC型動(dòng)態(tài)低壓無功補(bǔ)償裝置。其中AN-TSC3系列動(dòng)態(tài)投切開關(guān)的三相獨(dú)立控制技術(shù)解決了三相不平衡沖擊負(fù)荷補(bǔ)償?shù)募夹g(shù)難題。該系列動(dòng)態(tài)投切開關(guān)通過了電力工業(yè)無功補(bǔ)償成套質(zhì)量檢驗(yàn)測試中心的檢驗(yàn)。
主要技術(shù)參數(shù)
額定電壓：110V、450V、690V
控制電容：≤60Kvar、≤3×20Kvar
額定頻率：50Hz
環(huán)境溫度：-25℃~+55℃
控制電壓：DC12V
控制電流：20mA
投入電流：<1.8In
海拔高度：≤2000m
·結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)合理，接線簡單，安裝調(diào)試方便，可三相和分相補(bǔ)償；
·可接于電容器角外實(shí)現(xiàn)三相兩控，也可接于電容器角內(nèi)實(shí)現(xiàn)三相三控；
·采用有效的保護(hù)電路，提高了調(diào)節(jié)器的抗諧波能力；
·采用了溫控技術(shù)，可靠保證可控硅在規(guī)定溫度范圍內(nèi)工作，當(dāng)有元件出現(xiàn)故障時(shí)或某種原因造成投切開關(guān)溫度超標(biāo)時(shí)；投切開關(guān)會(huì)自動(dòng)退出，有效保護(hù)投切開關(guān)不損壞；
·充分采用集成電路，盡量減少分立元件，使得投切開關(guān)體積盡可能合理并減小，可使整個(gè)柜體的成本降低；
·抗干擾電路設(shè)計(jì)，提高了投切開關(guān)的抗干擾能力，有效防止誤觸發(fā)引起可控硅擊穿故障。
型號(hào)參數(shù)表
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標(biāo)準(zhǔn)型號(hào)選型列表 |
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三相共補(bǔ) |
單相分補(bǔ) |
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型號(hào) |
控制電容容量 |
型號(hào) |
控制電容容量 |
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TSC2-15 |
≤16Kvar |
TSC3-5 |
≤3×5Kvar |
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TSC2-30 |
≤30Kvar |
TSC3-10 |
≤3×10Kvar |
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TSC2-40 |
≤40Kvar |
TSC3-15 |
≤3×15Kvar |
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TSC2-50 |
≤50Kvar |
TSC3-20 |
≤3×20Kvar |
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TSC2-60 |
≤60Kvar |
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起重機(jī)、升降機(jī)、焊接設(shè)備等。SIEG-TSC-10于三相無功電流的共補(bǔ)，SIEG-TSC-2則用于三相無功電流任意相的獨(dú)立補(bǔ)償（分補(bǔ)），可由投切控制器通過直流或交流信號(hào)直接控制投切。投切開關(guān)采用第三代基于氮化鋁陶瓷基板(DBC)制造技術(shù)的晶閘管開關(guān)模塊，較之目前常用的采用第二代氧化鋁基板技術(shù)的晶閘管，具有更強(qiáng)的承受冷熱沖擊能力，散熱能力更強(qiáng)，溫升更低，能夠長期穩(wěn)定、可靠地工作。
